casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / FFP08S60SNTU
codice articolo del costruttore | FFP08S60SNTU |
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Numero di parte futuro | FT-FFP08S60SNTU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STEALTH™ II |
FFP08S60SNTU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.4V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 32ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-2L |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FFP08S60SNTU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FFP08S60SNTU-FT |
1N485B_T50R
ON Semiconductor
1N486B-T50A
ON Semiconductor
1N486B_T50R
ON Semiconductor
1N4938
ON Semiconductor
1N4938TR
ON Semiconductor
1N4938_T50R
ON Semiconductor
1N5282_T50R
ON Semiconductor
1N914A
ON Semiconductor
1N914A_T50R
ON Semiconductor
1N914BTR_S00Z
ON Semiconductor
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel