casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FF225R17ME4PBPSA1
codice articolo del costruttore | FF225R17ME4PBPSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FF225R17ME4PBPSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | EconoDUAL™ 3 |
FF225R17ME4PBPSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 450A |
Potenza - Max | 20mW |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 225A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 3mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 18.5nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF225R17ME4PBPSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FF225R17ME4PBPSA1-FT |
F3L300R12MT4PB22BPSA1
Infineon Technologies
F3L300R12MT4PB23BPSA1
Infineon Technologies
F3L300R12PT4B26COSA1
Infineon Technologies
F3L400R07ME4B22BOSA1
Infineon Technologies
F3L400R07ME4B23BOSA1
Infineon Technologies
F3L400R12PT4B26BOSA1
Infineon Technologies
F3L50R06W1E3B11BOMA1
Infineon Technologies
F3L75R07W2E3B11BOMA1
Infineon Technologies
F3L75R12W1H3B11BPSA1
Infineon Technologies
F3L75R12W1H3B27BOMA1
Infineon Technologies
A3P030-QNG68
Microsemi Corporation
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC2V80-4FGG256C
Xilinx Inc.
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
5SEE9F45I3N
Intel
LAE3-35EA-6LFN672E
Lattice Semiconductor Corporation