casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / FESB16AT-E3/81
codice articolo del costruttore | FESB16AT-E3/81 |
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Numero di parte futuro | FT-FESB16AT-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FESB16AT-E3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 16A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 175pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FESB16AT-E3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FESB16AT-E3/81-FT |
18TQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
19TQ015S
Vishay Semiconductor Diodes Division
19TQ015STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
19TQ015STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF02S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF02STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
A54SX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C6N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFEC10E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EP20K200EQC240-2X
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel