casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / FES16BT-E3/45
codice articolo del costruttore | FES16BT-E3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-FES16BT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FES16BT-E3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 16A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FES16BT-E3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FES16BT-E3/45-FT |
VS-ETL1506-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX1506-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETH06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TB120-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG12JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16TB120-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR10H100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1635-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel