casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / FES16AT-E3/45
codice articolo del costruttore | FES16AT-E3/45 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FES16AT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FES16AT-E3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 16A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FES16AT-E3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FES16AT-E3/45-FT |
VS-MUR1520-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH1506-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETL1506-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX1506-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETH06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TB120-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG12JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16TB120-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR10H100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation