casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / FEPB16HTHE3/81
codice articolo del costruttore | FEPB16HTHE3/81 |
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Numero di parte futuro | FT-FEPB16HTHE3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FEPB16HTHE3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 500V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 500V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FEPB16HTHE3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FEPB16HTHE3/81-FT |
16CTU04S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTH03S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTH03STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTH03STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75T-2FG484I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256
Microsemi Corporation
A54SX72A-1CQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484C4
Intel
10M40DCF256C7G
Intel
5SGXEB5R2F43I2L
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
EP4SGX230DF29C3NES
Intel