casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / FEPB16GTHE3/81
codice articolo del costruttore | FEPB16GTHE3/81 |
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Numero di parte futuro | FT-FEPB16GTHE3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FEPB16GTHE3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FEPB16GTHE3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FEPB16GTHE3/81-FT |
16CTQ100S
Vishay Semiconductor Diodes Division
16CTQ100STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
16CTQ100STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
16CTU04S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTH03S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTH03STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTH03STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICE40UP5K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-3TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-PQ100C
Microsemi Corporation
XC3S400AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
AGLN010V5-UCG36
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27C7
Intel
10M25DCF256C7G
Intel
5SGSMD8K3F40I3N
Intel
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation