casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / FEPB16GTHE3/81
codice articolo del costruttore | FEPB16GTHE3/81 |
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Numero di parte futuro | FT-FEPB16GTHE3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FEPB16GTHE3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FEPB16GTHE3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FEPB16GTHE3/81-FT |
16CTQ100S
Vishay Semiconductor Diodes Division
16CTQ100STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
16CTQ100STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
16CTU04S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTH03S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTH03STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTH03STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V500-5FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG144A
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
APA075-PQ208A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A200T-1SBG484C
Xilinx Inc.
LFEC3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C7N
Intel
EPF10K50EQC208-3
Intel