casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / FEPB16ATHE3/81
codice articolo del costruttore | FEPB16ATHE3/81 |
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Numero di parte futuro | FT-FEPB16ATHE3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FEPB16ATHE3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FEPB16ATHE3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FEPB16ATHE3/81-FT |
VS-MURB1620CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
UHB20FCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
10CTQ150S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10CTQ150STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
10CTQ150STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
12CTQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division
12CTQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
12CTQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
12CTQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
12CTQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
EX128-FTQ64
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2
Intel
XC3S200-4FT256I
Xilinx Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
5SGXEABN2F45C2N
Intel
XC4010E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
Intel
EPF10K50SQC208-3N
Intel