casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / FEP16GT/45
codice articolo del costruttore | FEP16GT/45 |
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Numero di parte futuro | FT-FEP16GT/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FEP16GT/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FEP16GT/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FEP16GT/45-FT |
VT10200C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT10202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT1045CBP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT2060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT2060G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT2060G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT2080C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT2080C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT3060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT3060G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-2TQG144C
Xilinx Inc.
A54SX08A-TQG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ208B
Microsemi Corporation
EP20K200CF672C9
Intel
5SGXEA5N1F45C1N
Intel
XC7VX415T-L2FFG1158E
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-4CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-35E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2LG
Intel
10AX057K1F35E1SG
Intel