casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDU6N50TU
codice articolo del costruttore | FDU6N50TU |
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Numero di parte futuro | FT-FDU6N50TU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UniFET™ |
FDU6N50TU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 940pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 89W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDU6N50TU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDU6N50TU-FT |
HUFA75339S3ST
ON Semiconductor
HUFA75343S3S
ON Semiconductor
HUFA75343S3ST
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HUFA75344S3S
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A40MX02-VQG80M
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5SGXEA7N1F40C2
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LFEC6E-5F256C
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