casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / FDSD0420D-2R2M=P3
codice articolo del costruttore | FDSD0420D-2R2M=P3 |
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Numero di parte futuro | FT-FDSD0420D-2R2M=P3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FDS0420 |
FDSD0420D-2R2M=P3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Metal |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 3.6A |
Corrente - Saturazione | 5.5A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 47 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | - |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.165" L x 0.165" W (4.20mm x 4.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.079" (2.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDSD0420D-2R2M=P3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDSD0420D-2R2M=P3-FT |
LQW2BHN39NG03L
Murata Electronics North America
LQW2BHN3N1D13L
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LQW2BHN3N3D03L
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LQW2BHN47NG03L
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LQW2BHN68NJ03L
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XC3S50AN-5TQG144C
Xilinx Inc.
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP20K300EBC672-2X
Intel
10AX016C3U19E2LG
Intel
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation