casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / FDSD0420D-1R5M=P3
codice articolo del costruttore | FDSD0420D-1R5M=P3 |
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Numero di parte futuro | FT-FDSD0420D-1R5M=P3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FDS0420 |
FDSD0420D-1R5M=P3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Metal |
Induttanza | 1.5µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 4.3A |
Corrente - Saturazione | 7.7A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 36 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | - |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.165" L x 0.165" W (4.20mm x 4.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.079" (2.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDSD0420D-1R5M=P3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDSD0420D-1R5M=P3-FT |
LQW2BHN18NK13L
Murata Electronics North America
LQW2BHN21NK13L
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LQW2BHN27NJ03L
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LQW2BHN27NK13L
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LQW2BHN33NG03L
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LQW2BHN39NG03L
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LQW2BHN3N1D13L
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LQW2BHN3N3D03L
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LQW2BHN3N3D13L
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LQW2BHN47NG03L
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APA300-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation