casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / FDSD0420-H-6R8M=P3
codice articolo del costruttore | FDSD0420-H-6R8M=P3 |
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Numero di parte futuro | FT-FDSD0420-H-6R8M=P3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FDSD0420 |
FDSD0420-H-6R8M=P3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Metal |
Induttanza | 6.8µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.9A |
Corrente - Saturazione | 2.7A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -20°C ~ 100°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.165" L x 0.165" W (4.20mm x 4.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.079" (2.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDSD0420-H-6R8M=P3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDSD0420-H-6R8M=P3-FT |
LQW2BHN12NJ03L
Murata Electronics North America
LQW2BHN12NK13L
Murata Electronics North America
LQW2BHN15NJ03L
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LQW2BHN15NK13L
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LQW2BHN18NK13L
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LQW2BHN21NK13L
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LQW2BHN27NJ03L
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LQW2BHN27NK13L
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LQW2BHN33NG03L
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LQW2BHN39NG03L
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EPF10K20TC144-4
Intel
LFEC3E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel