casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDS2170N7
codice articolo del costruttore | FDS2170N7 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FDS2170N7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDS2170N7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 128 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1292pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDS2170N7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDS2170N7-FT |
SI3443DV
ON Semiconductor
FDC8601
ON Semiconductor
FDC3612
ON Semiconductor
FDC654P
ON Semiconductor
FDC5612
ON Semiconductor
FDC634P
ON Semiconductor
FDC30N20DZ
ON Semiconductor
FDC2612
ON Semiconductor
FDC3535
ON Semiconductor
FDC602P
ON Semiconductor
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation