casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDPF16N50
codice articolo del costruttore | FDPF16N50 |
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Numero di parte futuro | FT-FDPF16N50 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UniFET™ |
FDPF16N50 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1945pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 38.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDPF16N50 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDPF16N50-FT |
GP1M009A060H
Global Power Technologies Group
GP1M009A090H
Global Power Technologies Group
GP1M010A060H
Global Power Technologies Group
GP1M010A080H
Global Power Technologies Group
GP1M011A050H
Global Power Technologies Group
GP1M011A050HS
Global Power Technologies Group
GP1M012A060H
Global Power Technologies Group
GP1M013A050H
Global Power Technologies Group
GP1M015A050H
Global Power Technologies Group
GP1M016A025HG
Global Power Technologies Group
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel