codice articolo del costruttore | FDP5690 |
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Numero di parte futuro | FT-FDP5690 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDP5690 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1120pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 58W (Tc) |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDP5690 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDP5690-FT |
FDP18N20F
ON Semiconductor
FQP4N90C
ON Semiconductor
FQP6N40CF
ON Semiconductor
NTP082N65S3F
ON Semiconductor
FQP7P06
ON Semiconductor
FCP190N60
ON Semiconductor
FQP2N90
ON Semiconductor
FQP12P20
ON Semiconductor
FDP2552
ON Semiconductor
FDP2710
ON Semiconductor
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel