codice articolo del costruttore | FDP2614 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FDP2614 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDP2614 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 62A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 31A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 99nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7230pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 260W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDP2614 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDP2614-FT |
FQPF6N60
ON Semiconductor
FQPF6N60C
ON Semiconductor
FQPF6N70
ON Semiconductor
FQPF6N80
ON Semiconductor
FQPF6N80T
ON Semiconductor
FQPF6N90
ON Semiconductor
FQPF6N90CT
ON Semiconductor
FQPF6P25
ON Semiconductor
FQPF7N10
ON Semiconductor
FQPF7N10L
ON Semiconductor
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel