casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDP20N50
codice articolo del costruttore | FDP20N50 |
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Numero di parte futuro | FT-FDP20N50 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UniFET™ |
FDP20N50 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3120pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDP20N50 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDP20N50-FT |
FQPF50N06
ON Semiconductor
FQPF50N06L
ON Semiconductor
FQPF55N10
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FQPF5N15
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FQPF5N20
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FQPF5N50CFTU
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A3P060-1TQ144I
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M2GL025T-1FCSG325I
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M1A3P400-FG484
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EPF10K130EFI484-2
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5SGXEA4K1F35C2N
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ICE40UL1K-CM36AI
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LFXP6C-5Q208C
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10AX016E3F27I1HG
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