casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDMS8560S
codice articolo del costruttore | FDMS8560S |
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Numero di parte futuro | FT-FDMS8560S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench®, SyncFET™ |
FDMS8560S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Ta), 70A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4350pF @ 13V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 65W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PQFN (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMS8560S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDMS8560S-FT |
FDY302NZ
ON Semiconductor
FDY100PZ
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2N7002T
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XC2V4000-5FF1517I
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M2GL025TS-VFG256
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EP4CGX30CF23I7
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5SGSED8N3F45I3LN
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5SGXEB5R1F43I2N
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AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel