casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FDMS3616S
codice articolo del costruttore | FDMS3616S |
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Numero di parte futuro | FT-FDMS3616S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMS3616S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A, 18A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1765pF @ 13V |
Potenza - Max | 1W |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | Power56 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMS3616S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDMS3616S-FT |
APTC60TAM24TPG
Microsemi Corporation
APTC60HM83FT2G
Microsemi Corporation
APTC60HM70RT3G
Microsemi Corporation
APTC60HM35T3G
Microsemi Corporation
APTC60DDAM35T3G
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APTC60BBM24T3G
Microsemi Corporation
APTC60AM45B1G
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APTC60AM45BC1G
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APTC60AM35SCTG
Microsemi Corporation
APTC60AM242G
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