casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FDMD8630
codice articolo del costruttore | FDMD8630 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FDMD8630 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMD8630 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 38A (Ta), 167A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 mOhm @ 38A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 142nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9930pF @ 15V |
Potenza - Max | 2.3W (Ta), 43W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-Power 5x6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMD8630 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDMD8630-FT |
IRFI4019HG-117P
Infineon Technologies
IRFH7911TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH7911TRPBF
Infineon Technologies
IRFH4253DTRPBF
Infineon Technologies
IRFH4251DTRPBF
Infineon Technologies
IRF6723M2DTR1P
Infineon Technologies
IRF6723M2DTRPBF
Infineon Technologies
IRF3575DTRPBF
Infineon Technologies
IRFHE4250DTRPBF
Infineon Technologies
IPG20N04S4L11ATMA1
Infineon Technologies