casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FDMD82100
codice articolo del costruttore | FDMD82100 |
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Numero di parte futuro | FT-FDMD82100 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMD82100 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1070pF @ 50V |
Potenza - Max | 1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 12-PowerWDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 12-Power3.3x5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMD82100 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDMD82100-FT |
APTC60AM45B1G
Microsemi Corporation
APTC60AM45BC1G
Microsemi Corporation
APTC60AM35SCTG
Microsemi Corporation
APTC60AM242G
Microsemi Corporation
APTC60AM18SCG
Microsemi Corporation
LP1030DK1-G
Microchip Technology
VMM90-09F
IXYS
VMM1000-01P
IXYS
VMM1500-0075P
IXYS
VMM650-01F
IXYS
XC6SLX150T-N3FG900C
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50U484C8
Intel
EP2AGZ225HF40C4N
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
XC7K325T-1FB676C
Xilinx Inc.
M2GL090-FGG676
Microsemi Corporation
EP1C20F400C8N
Intel