casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDMC8622
codice articolo del costruttore | FDMC8622 |
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Numero di parte futuro | FT-FDMC8622 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMC8622 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta), 16A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.3nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 402pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 31W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-MLP (3.3x3.3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMC8622 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDMC8622-FT |
FQI3P20TU
ON Semiconductor
FQI3P50TU
ON Semiconductor
FQI47P06TU
ON Semiconductor
FQI4N20LTU
ON Semiconductor
FQI4N20TU
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FQI4N25TU
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FQI4N80TU
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FQI4P40TU
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