casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FDMC8200
codice articolo del costruttore | FDMC8200 |
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Numero di parte futuro | FT-FDMC8200 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMC8200 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A, 12A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 15V |
Potenza - Max | 700mW, 900mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-Power33 (3x3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMC8200 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDMC8200-FT |
APTC60AM35SCTG
Microsemi Corporation
APTC60AM242G
Microsemi Corporation
APTC60AM18SCG
Microsemi Corporation
LP1030DK1-G
Microchip Technology
VMM90-09F
IXYS
VMM1000-01P
IXYS
VMM1500-0075P
IXYS
VMM650-01F
IXYS
VMM300-03F
IXYS
IXTL2X240N055T
IXYS
XC3S1400A-5FG676C
Xilinx Inc.
APA1000-FG896A
Microsemi Corporation
A3PE3000-1FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N3F45I3LN
Intel
XC4010XL-3PC84I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA5G4F31I5N
Intel
EP4SGX110DF29I3
Intel
EP3CLS200F780C7N
Intel
EP20K400CB652I8ES
Intel