codice articolo del costruttore | FDI8442 |
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Numero di parte futuro | FT-FDI8442 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDI8442 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Ta), 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 235nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12200pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 254W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK (TO-262) |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDI8442 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDI8442-FT |
BUK9C10-55BIT/A,11
Nexperia USA Inc.
BUK9C10-65BIT,118
Nexperia USA Inc.
BUK9J0R9-40HX
Nexperia USA Inc.
BUK9MJJ-55PSS/A,51
Nexperia USA Inc.
BUK9MJJ-55PTT,518
Nexperia USA Inc.
BUK9MMM-55PNN/A,51
Nexperia USA Inc.
BUK9MRR-55PGG/A,51
Nexperia USA Inc.
BUK9Y1R3-40HX
Nexperia USA Inc.
BUK9Y1R6-40HX
Nexperia USA Inc.
BUK9Y1R9-40HX
Nexperia USA Inc.
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel