casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDI33N25TU
codice articolo del costruttore | FDI33N25TU |
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Numero di parte futuro | FT-FDI33N25TU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UniFET™ |
FDI33N25TU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 94 mOhm @ 16.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2135pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 235W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK (TO-262) |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDI33N25TU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDI33N25TU-FT |
BUK9230-80EJ
Nexperia USA Inc.
BUK9234-100EJ
Nexperia USA Inc.
BUK929R1-60EJ
Nexperia USA Inc.
BUK9C10-55BIT/A,11
Nexperia USA Inc.
BUK9C10-65BIT,118
Nexperia USA Inc.
BUK9J0R9-40HX
Nexperia USA Inc.
BUK9MJJ-55PSS/A,51
Nexperia USA Inc.
BUK9MJJ-55PTT,518
Nexperia USA Inc.
BUK9MMM-55PNN/A,51
Nexperia USA Inc.
BUK9MRR-55PGG/A,51
Nexperia USA Inc.
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel