casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDH055N15A
codice articolo del costruttore | FDH055N15A |
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Numero di parte futuro | FT-FDH055N15A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDH055N15A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 158A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9 mOhm @ 120A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9445pF @ 75V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 429W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDH055N15A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDH055N15A-FT |
GP1M006A065FH
Global Power Technologies Group
GP1M006A070F
Global Power Technologies Group
GP1M006A070FH
Global Power Technologies Group
GP1M007A090FH
Global Power Technologies Group
GP1M008A025FG
Global Power Technologies Group
GP1M008A050FG
Global Power Technologies Group
GP1M008A080FH
Global Power Technologies Group
GP1M009A020FG
Global Power Technologies Group
GP1M009A050FSH
Global Power Technologies Group
GP1M009A060FH
Global Power Technologies Group
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel