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ON Semiconductor FDFM2N111

Numero parte MFG
FDFM2N111
quantità disponibile
29860 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.319824
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Data di spedizione
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
PowerTrench® MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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FDFM2N111 specificazioni

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Numero di parte futuro FT-FDFM2N111
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie PowerTrench®
FDFM2N111 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.8nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 273pF @ 10V
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max) 1.7W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore MicroFET 3x3mm
Pacchetto / caso 6-WDFN Exposed Pad
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDFM2N111 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FDFM2N111-FT

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