codice articolo del costruttore | FDD8770 |
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Numero di parte futuro | FT-FDD8770 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDD8770 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3720pF @ 13V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 115W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252AA |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD8770 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDD8770-FT |
FDD2572-F085
ON Semiconductor
FQD3N60CTM-WS
ON Semiconductor
IXTY01N100
IXYS
IRLR8743TRPBF
Infineon Technologies
FDD16AN08A0
ON Semiconductor
FDD3682-F085
ON Semiconductor
FDD6685
ON Semiconductor
FDD7N20TM
ON Semiconductor
FDD8447L-F085
ON Semiconductor
FDD8782
ON Semiconductor
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel