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ON Semiconductor FDD86367

Numero parte MFG
FDD86367
quantità disponibile
28340 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.79572
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® MOSFET N-CHANNEL 80V 100A TO252
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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FDD86367 specificazioni

codice articolo del costruttore FDD86367
Numero di parte futuro FT-FDD86367
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FDD86367 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4840pF @ 40V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 227W (Tj)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D-PAK (TO-252)
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD86367 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FDD86367-FT

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