casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDD1600N10ALZD
codice articolo del costruttore | FDD1600N10ALZD |
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Numero di parte futuro | FT-FDD1600N10ALZD |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDD1600N10ALZD Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.61nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 225pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 14.9W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252-4L |
Pacchetto / caso | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD1600N10ALZD Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDD1600N10ALZD-FT |
FQI32N20CTU
ON Semiconductor
FQI34P10TU
ON Semiconductor
FQI3N25TU
ON Semiconductor
FQI3N30TU
ON Semiconductor
FQI3N40TU
ON Semiconductor
FQI3N80TU
ON Semiconductor
FQI3N90TU
ON Semiconductor
FQI3P20TU
ON Semiconductor
FQI3P50TU
ON Semiconductor
FQI47P06TU
ON Semiconductor
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation