casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDD1600N10ALZD
codice articolo del costruttore | FDD1600N10ALZD |
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Numero di parte futuro | FT-FDD1600N10ALZD |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDD1600N10ALZD Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.61nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 225pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 14.9W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252-4L |
Pacchetto / caso | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD1600N10ALZD Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDD1600N10ALZD-FT |
FQI32N20CTU
ON Semiconductor
FQI34P10TU
ON Semiconductor
FQI3N25TU
ON Semiconductor
FQI3N30TU
ON Semiconductor
FQI3N40TU
ON Semiconductor
FQI3N80TU
ON Semiconductor
FQI3N90TU
ON Semiconductor
FQI3P20TU
ON Semiconductor
FQI3P50TU
ON Semiconductor
FQI47P06TU
ON Semiconductor
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel