casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDC5614P
codice articolo del costruttore | FDC5614P |
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Numero di parte futuro | FT-FDC5614P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDC5614P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 759pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SuperSOT™-6 |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDC5614P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDC5614P-FT |
HUFA76439P3
ON Semiconductor
HUFA76443P3
ON Semiconductor
HUFA76445P3
ON Semiconductor
HUFA76633P3
ON Semiconductor
HUFA76639P3
ON Semiconductor
HUFA76645P3
ON Semiconductor
IRF530N_R4942
ON Semiconductor
IRF540A
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IRF540N_R4942
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IRF620B_FP001
ON Semiconductor
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
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M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
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LCMXO2-2000HE-6FTG256C
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LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
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EP1C6Q240C7N
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EP1K100QC208-1GZ
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