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ON Semiconductor FDB86135

Name: FDB86135
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDB86135
Price: 3.168 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (415 reviews)

Numero parte MFG: FDB86135

quantità disponibile: 76760 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 3.168

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: PowerTrench® MOSFET N-CH 100V D2PAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FDB86135.pdf

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FDB86135 specificazioni

codice articolo del costruttore	FDB86135
Numero di parte futuro	FT-FDB86135
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerTrench®
FDB86135 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	116nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7295pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.4W (Ta), 227W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDB86135 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FDB86135-FT

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