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ON Semiconductor FDB33N25TM

Name: FDB33N25TM
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDB33N25TM
Price: 0.98816 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (649 reviews)

Numero parte MFG: FDB33N25TM

quantità disponibile: 60730 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.98816

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: UniFET™ MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FDB33N25TM.pdf

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FDB33N25TM specificazioni

codice articolo del costruttore	FDB33N25TM
Numero di parte futuro	FT-FDB33N25TM
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	UniFET™
FDB33N25TM Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	33A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	94 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2135pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	235W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D²PAK
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDB33N25TM Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FDB33N25TM-FT

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