casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDB029N06
codice articolo del costruttore | FDB029N06 |
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Numero di parte futuro | FT-FDB029N06 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDB029N06 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 151nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9815pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 231W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDB029N06 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDB029N06-FT |
FDB8445
ON Semiconductor
FDB088N08
ON Semiconductor
FDB390N15A
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HUF75631S3ST
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ON Semiconductor
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Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel