casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDB0190N807L
codice articolo del costruttore | FDB0190N807L |
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Numero di parte futuro | FT-FDB0190N807L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDB0190N807L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 270A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 34A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 249nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 19110pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 250W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263) |
Pacchetto / caso | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDB0190N807L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDB0190N807L-FT |
FDMS8848NZ
ON Semiconductor
FDMC7696
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A54SX32A-1TQG144
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XC6SLX75T-4FGG484C
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A3P600L-1FGG484
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MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
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5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
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5SGSMD4H3F35C4N
Intel