casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDAF62N28
codice articolo del costruttore | FDAF62N28 |
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Numero di parte futuro | FT-FDAF62N28 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UniFET™ |
FDAF62N28 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 280V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 51 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4630pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 165W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PF |
Pacchetto / caso | TO-3P-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDAF62N28 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDAF62N28-FT |
FQI34P10TU
ON Semiconductor
FQI3N25TU
ON Semiconductor
FQI3N30TU
ON Semiconductor
FQI3N40TU
ON Semiconductor
FQI3N80TU
ON Semiconductor
FQI3N90TU
ON Semiconductor
FQI3P20TU
ON Semiconductor
FQI3P50TU
ON Semiconductor
FQI47P06TU
ON Semiconductor
FQI4N20LTU
ON Semiconductor
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
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A3P250L-VQG100I
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EP3CLS100F484C7
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EP2AGX125DF25C4N
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