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codice articolo del costruttore | FD4100002 |
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Numero di parte futuro | FT-FD4100002 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SaRonix-eCera™ FD |
FD4100002 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Crystal |
Frequenza | XO (Standard) |
Funzione | 41MHz |
Produzione | Enable/Disable |
Tensione - Fornitura | CMOS |
Stabilità di frequenza | 2.5V |
Absolute Pull Range (APR) | ±50ppm |
temperatura di esercizio | - |
Corrente - Alimentazione (max) | -20°C ~ 70°C |
Giudizi | 25mA |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Dimensione / Dimensione | 4-SMD, No Lead |
Altezza - Seduto (max) | 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) |
0.051" (1.30mm) | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FD4100002 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FD4100002-FT |
KK3270042
Diodes Incorporated
KK3270043
Diodes Incorporated
KK3270044
Diodes Incorporated
KK3270048
Diodes Incorporated
KK3270053
Diodes Incorporated
KN3270022
Diodes Incorporated
KN3270023
Diodes Incorporated
KN3270024
Diodes Incorporated
KN3270026
Diodes Incorporated
KN3270027
Diodes Incorporated
XCV300E-7FG456C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1TQG176I
Microsemi Corporation
EP4CE115F23C8L
Intel
10M04DCF256I7G
Intel
5SGXEB6R3F40C4N
Intel
5SGXEB5R1F43C2N
Intel
A42MX24-TQG176I
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FGG144I
Microsemi Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel
5SGXEA3H3F35C2N
Intel