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codice articolo del costruttore | FD2600029 |
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Numero di parte futuro | FT-FD2600029 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SaRonix-eCera™ FD |
FD2600029 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Crystal |
Frequenza | XO (Standard) |
Funzione | 26MHz |
Produzione | Enable/Disable |
Tensione - Fornitura | CMOS |
Stabilità di frequenza | 3.3V |
Absolute Pull Range (APR) | ±20ppm |
temperatura di esercizio | - |
Corrente - Alimentazione (max) | -20°C ~ 70°C |
Giudizi | 15mA |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Dimensione / Dimensione | 4-SMD, No Lead |
Altezza - Seduto (max) | 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) |
0.051" (1.30mm) | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FD2600029 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FD2600029-FT |
FK5000016
Diodes Incorporated
FK5000019
Diodes Incorporated
FK5000022
Diodes Incorporated
FK5400007
Diodes Incorporated
FK6000003
Diodes Incorporated
FK6250004
Diodes Incorporated
FK6600005
Diodes Incorporated
FK6660006
Diodes Incorporated
FK6660007
Diodes Incorporated
FKA000006
Diodes Incorporated
LCMXO2-256ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS20XL-4VQ100I
Xilinx Inc.
EP4CE30F23I7N
Intel
EP4SE360F35I4
Intel
M1AGL1000V5-FG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N1F45I1SG
Intel
EP3SE110F780I3N
Intel
EP2S60F1020I4N
Intel
EP1S80F1020C7
Intel