casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FCPF600N60ZL1
codice articolo del costruttore | FCPF600N60ZL1 |
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Numero di parte futuro | FT-FCPF600N60ZL1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperFET® III |
FCPF600N60ZL1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1120pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 28W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCPF600N60ZL1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FCPF600N60ZL1-FT |
FDU8880
ON Semiconductor
FDU8882
ON Semiconductor
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FQU10N20LTU
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FQU10N20TU
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LFXP3C-4T144I
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A54SX16-VQ100
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EP4CE40F23C6N
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5SGXEA5K1F35I2N
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XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation