casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FCPF260N60E-F152
codice articolo del costruttore | FCPF260N60E-F152 |
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Numero di parte futuro | FT-FCPF260N60E-F152 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperFET® II |
FCPF260N60E-F152 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260 mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 36W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCPF260N60E-F152 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FCPF260N60E-F152-FT |
FQPF33N10L
ON Semiconductor
FDPF5N50NZF
ON Semiconductor
FDPF15N65
ON Semiconductor
IRLS640A
ON Semiconductor
FDPF20N50T
ON Semiconductor
FDPF12N50UT
ON Semiconductor
FDPF5N50NZU
ON Semiconductor
FQPF47P06
ON Semiconductor
FDPF55N06
ON Semiconductor
FQPF12N60C
ON Semiconductor
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel