casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FCPF2250N80Z
codice articolo del costruttore | FCPF2250N80Z |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FCPF2250N80Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperFET® II |
FCPF2250N80Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.25 Ohm @ 1.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 260µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 585pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 21.9W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCPF2250N80Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FCPF2250N80Z-FT |
FCH20N60
ON Semiconductor
FCH25N60N
ON Semiconductor
FCH47N60
ON Semiconductor
FCH47N60F
ON Semiconductor
FDH15N50
ON Semiconductor
FDH210N08
ON Semiconductor
FDH27N50
ON Semiconductor
FDH50N50
ON Semiconductor
FDH5500
ON Semiconductor
FDH5500-F085
ON Semiconductor
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel