casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FCPF20N60T
codice articolo del costruttore | FCPF20N60T |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FCPF20N60T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperFET™ |
FCPF20N60T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3080pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 39W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCPF20N60T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FCPF20N60T-FT |
FCH125N60E
ON Semiconductor
FCH20N60
ON Semiconductor
FCH25N60N
ON Semiconductor
FCH47N60
ON Semiconductor
FCH47N60F
ON Semiconductor
FDH15N50
ON Semiconductor
FDH210N08
ON Semiconductor
FDH27N50
ON Semiconductor
FDH50N50
ON Semiconductor
FDH5500
ON Semiconductor
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel