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ON Semiconductor FCP22N60N-F102

Name: FCP22N60N-F102
Brand: ON Semiconductor
SKU: FCP22N60N-F102
Price: 2.582184 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (324 reviews)

Numero parte MFG: FCP22N60N-F102

quantità disponibile: 36190 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 2.582184

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fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FCP22N60N-F102.pdf

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FCP22N60N-F102 specificazioni

codice articolo del costruttore	FCP22N60N-F102
Numero di parte futuro	FT-FCP22N60N-F102
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
FCP22N60N-F102 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	22A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	165 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Vgs (massimo)	±45V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1950pF @ 100V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	205W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCP22N60N-F102 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FCP22N60N-F102-FT

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