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ON Semiconductor FCP190N65F

Name: FCP190N65F
Brand: ON Semiconductor
SKU: FCP190N65F
Price: 1.510344 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (428 reviews)

Numero parte MFG: FCP190N65F

quantità disponibile: 76900 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.510344

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: FRFET®, SuperFET® II MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FCP190N65F.pdf

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FCP190N65F specificazioni

codice articolo del costruttore	FCP190N65F
Numero di parte futuro	FT-FCP190N65F
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	FRFET®, SuperFET® II
FCP190N65F Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	78nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3225pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	208W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCP190N65F Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FCP190N65F-FT

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