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ON Semiconductor FCH165N65S3R0-F155

Name: FCH165N65S3R0-F155
Brand: ON Semiconductor
SKU: FCH165N65S3R0-F155
Price: 2.0656 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (413 reviews)

Numero parte MFG: FCH165N65S3R0-F155

quantità disponibile: 15410 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 2.0656

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: SuperFET® III SF3 650V 165MOHM E TO247L

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FCH165N65S3R0-F155.pdf

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FCH165N65S3R0-F155 specificazioni

codice articolo del costruttore	FCH165N65S3R0-F155
Numero di parte futuro	FT-FCH165N65S3R0-F155
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	SuperFET® III
FCH165N65S3R0-F155 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	19A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	165 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1.9mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 400V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	154W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247-3
Pacchetto / caso	TO-247-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCH165N65S3R0-F155 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FCH165N65S3R0-F155-FT

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