casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / F1827CCD1000
codice articolo del costruttore | F1827CCD1000 |
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Numero di parte futuro | FT-F1827CCD1000 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
F1827CCD1000 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 25A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.55V @ 75A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F1827CCD1000 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | F1827CCD1000-FT |
CPT50235A
Microsemi Corporation
CPT50235D
Microsemi Corporation
CPT600100A
Microsemi Corporation
CPT600100D
Microsemi Corporation
CPT600150
Microsemi Corporation
CPT600150A
Microsemi Corporation
CPT60035A
Microsemi Corporation
CPT60035D
Microsemi Corporation
CPT60045A
Microsemi Corporation
CPT60045D
Microsemi Corporation
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel