casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / F1827CAD1200
codice articolo del costruttore | F1827CAD1200 |
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Numero di parte futuro | FT-F1827CAD1200 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
F1827CAD1200 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 25A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.55V @ 75A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F1827CAD1200 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | F1827CAD1200-FT |
CPT50060A
Microsemi Corporation
CPT50060D
Microsemi Corporation
CPT50145A
Microsemi Corporation
CPT50145D
Microsemi Corporation
CPT50235
Microsemi Corporation
CPT50235A
Microsemi Corporation
CPT50235D
Microsemi Corporation
CPT600100A
Microsemi Corporation
CPT600100D
Microsemi Corporation
CPT600150
Microsemi Corporation
A40MX02-FVQG80
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016C3U19E2LG
Intel
EP3SL340F1760C4N
Intel
XC2VP20-5FF1152C
Xilinx Inc.
XC2V2000-4FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX24-PLG84
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I5N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel