codice articolo del costruttore | F15 |
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Numero di parte futuro | FT-F15 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
F15 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1500V |
Corrente: media rettificata (Io) | 350mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 5V @ 100mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 250ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250nA @ 1500V |
Capacità @ Vr, F | 2.5pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F15 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | F15-FT |
SDT10A100P5-13
Diodes Incorporated
SDT10A100P5-13D
Diodes Incorporated
SDT10A100P5-7
Diodes Incorporated
SDT10A100P5-7D
Diodes Incorporated
SDT10A45P5-13
Diodes Incorporated
SDT10A45P5-13D
Diodes Incorporated
SDT10A45P5-7D
Diodes Incorporated
SDT15150P5-13D
Diodes Incorporated
SDT15150P5-7
Diodes Incorporated
SDT15150P5-7D
Diodes Incorporated
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel