casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / EU 2AV1
codice articolo del costruttore | EU 2AV1 |
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Numero di parte futuro | FT-EU 2AV1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EU 2AV1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 400ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EU 2AV1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EU 2AV1-FT |
SJPE-H4VR
Sanken
SJPJ-D3V
Sanken
SJPJ-D3VR
Sanken
SJPJ-H3V
Sanken
SJPJ-L3V
Sanken
SJPJ-L3VL
Sanken
SJPL-D2
Sanken
SJPL-D2V
Sanken
SJPL-F4
Sanken
SJPL-F4V
Sanken
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel